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IT采購網8月9日消息，韓國半導體巨頭SK海力士(SK Hynix)在當日宣布取得了重大突破，成功發布了全新的321層1Tb TLCNAND閃存。這一進展讓SK海力士成為全球首家正式開發300層以上NAND閃存的公司。

這項突破性的技術成果標志著SK海力士在NAND閃存領域取得了巨大的進步。與上一代的238層512Gb NAND相比，這款321層1Tb TLCNAND的效率提升了驚人的59%。SK海力士通過增加每個芯片中存儲單元的數量和層數，從而在相同大小的芯片上實現了更大的存儲容量。這不僅提高了單片的存儲能力，還有效地提升了每個晶圓上芯片的產量。

SK海力士計劃在2025年上半年開始量產這款321層1Tb TLC NAND閃存，為市場提供更大容量、更高效率的存儲解決方案。

據IT采購網了解，除了這一突破性的321層1Tb TLCNAND閃存，SK海力士還推出了適應不同需求的下一代NAND產品。其中，企業級固態硬盤(eSSD)采用了PCIe5(Gen5)接口，為企業級用戶提供更快速的數據傳輸能力。此外，UFS 4.0也將成為移動設備領域的亮點，為手機等設備帶來更高速的閃存存儲性能。

SK海力士表示，公司將繼續在現有技術基礎上不斷優化產品，并積極投入下一代產品的研發。他們正致力于開發適應未來市場需求的PCIe 6.0和UFS5.0產品，為行業的發展引領潮流。這一系列的創新舉措將進一步鞏固SK海力士在半導體領域的領導地位，為全球科技發展貢獻重要力量。